TW015Z120C,S1F FET đơn, MOSFET_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	TW015Z120C,S1F
Phân loại sản phẩm：	FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Mô tả：	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Đóng gói：
Bao bì：	Ống
Số lượng：	98
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Phần số：

TW015Z120C,S1F

Phân loại sản phẩm：

FET đơn, MOSFET

Nhà sản xuất：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Mô tả：

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1

Đóng gói：

Bao bì：

Ống

Số lượng：

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Loạt	-
Bưu kiện	Ống
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	TO-247-4
Kiểu lắp	Through Hole
Nhiệt độ hoạt động	175°C
Công nghệ	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	21mOhm @ 50A, 18V
Tản điện (Tối đa)	431W (Tc)
Vss(th) (Tối đa) @ Id	5V @ 11.7mA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	TO-247-4L(X)
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	18V
VSS (Tối đa)	+25V, -10V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	1200 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	158 nC @ 18 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 800 V

KIỂU

SỰ MIÊU TẢ

người bán

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Loạt

Bưu kiện

Ống

trạng thái sản phẩm

ACTIVE

Gói / Thùng

TO-247-4

Kiểu lắp