TP65H480G4JSGB-TR FET đơn, MOSFET_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：

TP65H480G4JSGB-TR

Phân loại sản phẩm：

FET đơn, MOSFET

Nhà sản xuất：

Transphorm

Mô tả：

GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

Đóng gói：

Bao bì：

Băng & Cuộn (TR)

Số lượng：

3926

Tình trạng RoHS：

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Transphorm
Loạt	SuperGaN®
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	8-PowerTDFN
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	GaNFET (Gallium Nitride)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	3.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	560mOhm @ 3A, 6V
Tản điện (Tối đa)	13.2W (Tc)
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.8V @ 500µA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	8-PQFN (5x6)
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	6V
VSS (Tối đa)	±10V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	650 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	5 nC @ 10 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	414 pF @ 400 V