TH58BVG3S0HBAI4 Ký ức_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	TH58BVG3S0HBAI4
Phân loại sản phẩm：	Ký ức
Nhà sản xuất：	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Mô tả：	8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.
Đóng gói：
Bao bì：	Cái mâm
Số lượng：	210
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Phần số：

TH58BVG3S0HBAI4

Phân loại sản phẩm：

Ký ức

Nhà sản xuất：

Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

Mô tả：

8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.

Đóng gói：

Bao bì：

Cái mâm

Số lượng：

210

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Loạt	-
Bưu kiện	Cái mâm
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	63-VFBGA
Kiểu lắp	Surface Mount
Kích thước bộ nhớ	8Gbit
Loại bộ nhớ	Non-Volatile
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 85°C (TA)
Cung cấp điện áp	2.7V ~ 3.6V
Công nghệ	FLASH - NAND (SLC)
Định dạng bộ nhớ	FLASH
Gói thiết bị của nhà cung cấp	63-TFBGA (9x11)
Thời gian chu kỳ viết - Word, Page	25ns
Giao diện bộ nhớ	Parallel
Thời gian truy cập	20 ns
Tổ chức bộ nhớ	1G x 8

Mô hình thay thế

                                          TH58BVG3S0HBAI4                                        

                                          铠侠-KIOXIA                                        

                                        BENAND (Built-in ECC SLCNAND)                                      