TC58BVG2S0HBAI6 Ký ức_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	TC58BVG2S0HBAI6
Phân loại sản phẩm：	Ký ức
Nhà sản xuất：	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Mô tả：	4GB SLC BENAND 24NM I TEMP BGA
Đóng gói：
Bao bì：	Cái mâm
Số lượng：	338
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Phần số：

TC58BVG2S0HBAI6

Phân loại sản phẩm：

Ký ức

Nhà sản xuất：

Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

Mô tả：

4GB SLC BENAND 24NM I TEMP BGA

Đóng gói：

Bao bì：

Cái mâm

Số lượng：

338

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Loạt	-
Bưu kiện	Cái mâm
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	67-VFBGA
Kiểu lắp	Surface Mount
Kích thước bộ nhớ	4Gbit
Loại bộ nhớ	Non-Volatile
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 85°C (TA)
Cung cấp điện áp	2.7V ~ 3.6V
Công nghệ	FLASH - NAND (SLC)
Định dạng bộ nhớ	FLASH
Gói thiết bị của nhà cung cấp	67-VFBGA (6.5x8)
Thời gian chu kỳ viết - Word, Page	25ns
Giao diện bộ nhớ	Parallel
Thời gian truy cập	20 ns
Tổ chức bộ nhớ	512M x 8

Mô hình thay thế

                                          TC58BVG2S0HBAI6                                        

                                          铠侠-KIOXIA                                        

                                        BENAND (Built-in ECC SLCNAND)                                      