SCT018W65G3-4AG FET đơn, MOSFET_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	SCT018W65G3-4AG
Phân loại sản phẩm：	FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất：	STMicroelectronics
Mô tả：	TO247-4
Đóng gói：
Bao bì：	Ống
Số lượng：	0
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Phần số：

SCT018W65G3-4AG

Phân loại sản phẩm：

FET đơn, MOSFET

Nhà sản xuất：

STMicroelectronics

Mô tả：

TO247-4

Đóng gói：

Bao bì：

Ống

Số lượng：

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	STMicroelectronics
Loạt	-
Bưu kiện	Ống
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	TO-247-4
Kiểu lắp	Through Hole
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 200°C (TJ)
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	27mOhm @ 30A, 18V
Tản điện (Tối đa)	398W (Tc)
Vss(th) (Tối đa) @ Id	4.2V @ 5mA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	TO-247-4
Cấp	Automotive
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	15V, 18V
VSS (Tối đa)	+22V, -10V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	650 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	77 nC @ 18 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	2077 pF @ 400 V
Trình độ chuyên môn	AEC-Q101

Mô hình thay thế

                                          SCT018W65G3-4AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package                                      