SCT012H90G3AG FET đơn, MOSFET_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	SCT012H90G3AG
Phân loại sản phẩm：	FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất：	STMicroelectronics
Mô tả：	H2PAK-7
Đóng gói：
Bao bì：	Băng & Cuộn (TR)
Số lượng：	0
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	STMicroelectronics
Loạt	-
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 175°C (TJ)
Công nghệ	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	15.8mOhm @ 60A, 18V
Tản điện (Tối đa)	625W (Tc)
Vss(th) (Tối đa) @ Id	4.2V @ 10mA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	H2PAK-7
Cấp	Automotive
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	15V, 18V
VSS (Tối đa)	+18V, -5V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	900 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	138 nC @ 18 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	3880 pF @ 600 V
Trình độ chuyên môn	AEC-Q101

Mô hình thay thế

                                          SCT012H90G3AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package                                      