NXH80T120L3Q0P3G Mô-đun IGBT_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：

NXH80T120L3Q0P3G

Phân loại sản phẩm：

Mô-đun IGBT

Nhà sản xuất：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Mô tả：

PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80

Đóng gói：

Bao bì：

Cái mâm

Số lượng：

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Sanyo Semiconductor/onsemi
Loạt	-
Bưu kiện	Cái mâm
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	Module
Kiểu lắp	Chassis Mount
Đầu vào	Standard
Cấu hình	Three Level Inverter
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 80A
Điện trở nhiệt NTC	Yes
Gói thiết bị của nhà cung cấp	20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Loại IGBT	Trench Field Stop
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)	75 A
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)	1200 V
Sức mạnh tối đa	188 W
Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)	300 µA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce	18150 pF @ 20 V