NXH800A100L4Q2F2P2G Mô-đun IGBT_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	NXH800A100L4Q2F2P2G
Phân loại sản phẩm：	Mô-đun IGBT
Nhà sản xuất：	Sanyo Semiconductor/onsemi
Mô tả：	MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
Đóng gói：
Bao bì：	Cái mâm
Số lượng：	0
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Phần số：

NXH800A100L4Q2F2P2G

Phân loại sản phẩm：

Mô-đun IGBT

Nhà sản xuất：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Mô tả：

MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE

Đóng gói：

Bao bì：

Cái mâm

Số lượng：

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Sanyo Semiconductor/onsemi
Loạt	-
Bưu kiện	Cái mâm
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	Module
Kiểu lắp	Chassis Mount
Đầu vào	Standard
Cấu hình	Three Phase Inverter
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 400A
Điện trở nhiệt NTC	Yes
Gói thiết bị của nhà cung cấp	51-PIM/Q2PACK (93x47)
Loại IGBT	Trench Field Stop
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)	309 A
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)	1000 V
Sức mạnh tối đa	714 W
Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)	20 µA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce	49700 pF @ 20 V

KIỂU

SỰ MIÊU TẢ

người bán

Sanyo Semiconductor/onsemi

Loạt

Bưu kiện

Cái mâm

trạng thái sản phẩm

ACTIVE

Gói / Thùng

Module

Kiểu lắp