NE85633-T1B-A Transitor RF lưỡng cực_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	NE85633-T1B-A
Phân loại sản phẩm：	Transitor RF lưỡng cực
Nhà sản xuất：	CEL (California Eastern Laboratories)
Mô tả：	SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
Đóng gói：
Bao bì：	Băng & Cuộn (TR)
Số lượng：	27000
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Phần số：

NE85633-T1B-A

Phân loại sản phẩm：

Transitor RF lưỡng cực

Nhà sản xuất：

CEL (California Eastern Laboratories)

Mô tả：

SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL

Đóng gói：

Bao bì：

Băng & Cuộn (TR)

Số lượng：

27000

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	CEL (California Eastern Laboratories)
Loạt	-
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	OBSOLETE
Gói / Thùng	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Kiểu lắp	Surface Mount
Loại bóng bán dẫn	NPN
Nhiệt độ hoạt động	150°C (TJ)
Nhận được	11.5dB
Sức mạnh tối đa	200mW
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)	100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)	12V
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce	50 @ 20mA, 10V
Tần số - Chuyển tiếp	7GHz
Hệ số tiếng ồn (loại dB @ f)	1.1dB @ 1GHz
Gói thiết bị của nhà cung cấp	3-MINIMOLD