IPD35N10S3L26ATMA2 FET đơn, MOSFET_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：

IPD35N10S3L26ATMA2

Phân loại sản phẩm：

FET đơn, MOSFET

Nhà sản xuất：

IR (Infineon Technologies)

Mô tả：

MOSFET_(75V 120V(

Đóng gói：

Bao bì：

Băng & Cuộn (TR)

Số lượng：

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	IR (Infineon Technologies)
Loạt	-
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 175°C (TJ)
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	24mOhm @ 35A, 10V
Tản điện (Tối đa)	71W (Tc)
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.4V @ 39µA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	PG-TO252-3-11
Cấp	Automotive
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	4.5V, 10V
VSS (Tối đa)	±20V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	100 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	39 nC @ 10 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
Trình độ chuyên môn	AEC-Q101

KIỂU

SỰ MIÊU TẢ

người bán

IR (Infineon Technologies)

Loạt

Bưu kiện

Băng & Cuộn (TR)

trạng thái sản phẩm

ACTIVE

Gói / Thùng

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Kiểu lắp