G3K8N15HE FET đơn, MOSFET_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	G3K8N15HE
Phân loại sản phẩm：	FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất：	Goford Semiconductor
Mô tả：	MOSFET N-CH ESD 150V 2A SOT-223
Đóng gói：
Bao bì：	Băng & Cuộn (TR)
Số lượng：	5000
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Phần số：

G3K8N15HE

Phân loại sản phẩm：

FET đơn, MOSFET

Nhà sản xuất：

Goford Semiconductor

Mô tả：

MOSFET N-CH ESD 150V 2A SOT-223

Đóng gói：

Bao bì：

Băng & Cuộn (TR)

Số lượng：

5000

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Goford Semiconductor
Loạt	-
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	TO-261-4, TO-261AA
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	370mOhm @ 2A, 10V
Tản điện (Tối đa)	2.16W (Tc)
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.5V @ 250µA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	SOT-223
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	4.5V, 10V
VSS (Tối đa)	±20V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	150 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	20 nC @ 10 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	558 pF @ 75 V

Mô hình thay thế

                                          G3K8N15HE                                        

                                          谷峰-GOFORD                                        

                                        Trench Mosfet                                      