FS50R07N2E4BOSA1 Mô-đun IGBT_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：

FS50R07N2E4BOSA1

Phân loại sản phẩm：

Mô-đun IGBT

Nhà sản xuất：

IR (Infineon Technologies)

Mô tả：

IGBT MODULE 650V 70A 190W

Đóng gói：

Bao bì：

Cái mâm

Số lượng：

280

Tình trạng RoHS：

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	IR (Infineon Technologies)
Loạt	EconoPACK™ 2
Bưu kiện	Cái mâm
trạng thái sản phẩm	OBSOLETE
Gói / Thùng	Module
Kiểu lắp	Chassis Mount
Đầu vào	Standard
Cấu hình	Full Bridge Inverter
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 125°C
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 50A
Điện trở nhiệt NTC	Yes
Gói thiết bị của nhà cung cấp	Module
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)	70 A
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)	650 V
Sức mạnh tối đa	190 W
Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)	1 mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce	3.1 nF @ 25 V