FMM6G30US60 Mô-đun IGBT_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	FMM6G30US60
Phân loại sản phẩm：	Mô-đun IGBT
Nhà sản xuất：	Fairchild Semiconductor
Mô tả：	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Đóng gói：
Bao bì：	số lượng lớn
Số lượng：	34
Tình trạng RoHS：	NO
Chia sẻ

Phần số：

FMM6G30US60

Phân loại sản phẩm：

Mô-đun IGBT

Nhà sản xuất：

Fairchild Semiconductor

Mô tả：

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Đóng gói：

Bao bì：

số lượng lớn

Số lượng：

Tình trạng RoHS：

Chia sẻ

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Fairchild Semiconductor
Loạt	-
Bưu kiện	số lượng lớn
trạng thái sản phẩm	OBSOLETE
Gói / Thùng	Module
Kiểu lắp	Through Hole
Đầu vào	Three Phase Bridge Rectifier
Cấu hình	Three Phase Inverter with Brake
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 30A
Điện trở nhiệt NTC	Yes
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)	30 A
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)	600 V
Sức mạnh tối đa	104 W
Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)	250 µA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce	2.1 nF @ 30 V

KIỂU

SỰ MIÊU TẢ

người bán

Fairchild Semiconductor

Loạt

Bưu kiện

số lượng lớn

trạng thái sản phẩm

OBSOLETE

Gói / Thùng

Module

Kiểu lắp