EPC2055 FET đơn, MOSFET_CHONGMING GROUP (HK) _ bộ nhớ Flash IC chip _ có thể lập trình IC chip _ máy tính IC chip _ LED ổ đĩa IC _ quản lý nguồn điện IC _ mạch tích hợp chip

Phần số：	EPC2055
Phân loại sản phẩm：	FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất：	EPC
Mô tả：	GANFET N-CH 40V 29A DIE
Đóng gói：
Bao bì：	Băng & Cuộn (TR)
Số lượng：	34495
Tình trạng RoHS：	YES
Chia sẻ

Phần số：

EPC2055

Phân loại sản phẩm：

FET đơn, MOSFET

Nhà sản xuất：

EPC

Mô tả：

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Đóng gói：

Bao bì：

Băng & Cuộn (TR)

Số lượng：

34495

Tình trạng RoHS：

YES

Chia sẻ

Thông số sản phẩm

Mô tả sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	EPC
Loạt	eGaN®
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	Die
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	GaNFET (Gallium Nitride)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	29A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	3.6mOhm @ 15A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.5V @ 7mA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	Die
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	5V
VSS (Tối đa)	+6V, -4V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	40 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	8.5 nC @ 5 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	1111 pF @ 20 V

Mô hình thay thế

                                          EPC2055                                        

                                          宜普-EPC                                        

                                        40 V, 161 A增强型功率晶体管                                      

Mô hình tương tự

EPC2059

宜普-EPC

170 V, 102 A增强型功率晶体管

EPC2051

宜普-EPC

100 V, 37 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

EPC2054

宜普-EPC

增强型功率晶体管

EPC2053

宜普-EPC