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D175K150E

Phần số D175K150E
Phân loại sản phẩm Điện trở điều chỉnh
Nhà sản xuất Ohmite
Mô tả ADJ PWR RES 150 OHM 175W CHAS MT
Đóng gói
Bao bì số lượng lớn
Số lượng 17
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KIỂUSỰ MIÊU TẢ
người bánOhmite
LoạtDividohm®210
Bưu kiệnsố lượng lớn
trạng thái sản phẩmACTIVE
Sức chịu đựng±10%
Gói / ThùngRadial, 3 Lead, Tubular
Loại điều chỉnhSlide
Kiểu lắpChassis Mount
Đường kính1.126" OD, 0.752" ID (28.60mm x 19.10mm)
Chiều dài8.500" (215.90mm)
Chấm dứtSolder Lug
Sức chống cự150 Ohms
Công suất (Watt)175 W

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17506Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17581Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17553Q5A
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17555Q5A
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17552Q5A
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CSD17581Q3A
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17507Q5A
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17577Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17576Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17570Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
2SD1758
罗姆-ROHM
Driver Transistor
CSD17522Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PMGD175XNE
安世-Nexperia
30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
CSD17585F5
德州仪器-TI
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
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