+86-13728707077
取消

A5G21H605W19NR3

Phần số A5G21H605W19NR3
Phân loại sản phẩm FET RF, MOSFET
Nhà sản xuất NXP Semiconductors
Mô tả RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Đóng gói
Bao bì Băng & Cuộn (TR)
Số lượng 0
Tình trạng RoHS NO
Chia sẻ
Thông số sản phẩm
Mô tả sản phẩm
PDF(1)
KIỂUSỰ MIÊU TẢ
người bánNXP Semiconductors
Loạt-
Bưu kiệnBăng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩmACTIVE
Gói / ThùngOM-780-4S4S
Kiểu lắpSurface Mount
Tính thường xuyên2.11GHz ~ 2.2GHz
Nguồn - Đầu ra85W
Nhận được15.1dB
Công nghệGaN
Gói thiết bị của nhà cung cấpOM-780-4S4S
Điện áp - Định mức125 V
Điện áp - Kiểm tra48 V
Bài kiểm tra hiện tại300 mA

Mô hình tương tự
A5G21H605W19N
恩智浦-NXP
2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES 68 OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 560 OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 5.1K OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 43K OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 47K OHM 5% 1W AXIAL
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
关闭
Inquiry
captcha

+86-13728707077

点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
0